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OmniVision pone en práctica la tecnología BSI para concebir un CMOS de 8 megapíxeles

 
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MAY 2008

Modificar la tradicional configuración del sensor y usar un nuevo sistema de iluminación trasera de los fotodiodos. Ésta es la base de la tecnología BSI (backside illumination) que OmniVision ha aplicado por primera vez en un sensor comercial. El resultado es un pequeño CMOS de 8 megapíxeles capaz de ofrecer -al menos en teoría- un rendimiento superior.

Nueva vuelta de tuerca en la carrera hacia la miniaturización de los sensores digitales. Si hace unos meses Kodak presumía de un CMOS de 5 megapíxeles formado por fotodiodos de sólo 1,4 micrones, ahora OmniVision -uno de los principales productores de CMOS del mundo- ha anunciado su intención de reducir esta cifra a 0,9 micrones.

Gracias a la aplicación de una nueva tecnología, la firma ha desarrollado junto a Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation un captor de 8 megapíxeles que, dado su reducido tamaño, tendrá en la telefonía móvil su primer campo de aplicación.

Bautizado como OmniBSI, este dispositivo da la vuelta a la estructura habitual usada por los sensores FSI para colocar la zona fotosensible de silicio más cerca de la luz incidente, y no debajo de las diversas estructuras necesarias para el funcionamiento del captor.

Según explica la compañía, esta nueva arquitectura permite mejorar la capacidad de absorción de la luz del sensor y superar con fotodiodos de 1,4 micrones los resultados de la mayoría de captores formados por células de 1,5 micrones.

20 años de estudio
La compañía responsable de este desarrollo recuerda que la tecnología BSI se lleva estudiando desde hace 20 años. Aun así, este sensor supondrá su primera aplicación comercial y de producción masiva en el mundo de la imagen digital.

Además de los beneficios para la calidad final de la imagen, este sistema BSI también repercutirá en la simplificación y la reducción de costes en la fabricación de sensores de imagen de 1,4 micrones o menos.

Según estos mismo datos, los primeros modelos del citado CMOS de 8 megapíxeles comenzarán a producirse antes de finales de junio.

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